供应NDB6020P分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

地区:广东 深圳
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零件编号 NDB6020PTR-ND

现有数量 0

检查提前期

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NDB6020P

描述 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 42 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 60W(Tc) D2PAK(TO-263AB)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 5V

Vgs(最大值) ±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1590pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 60W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 12A,4.5V

工作温度 -65°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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系列

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类别

集成电路(IC)

产品族

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电压 - 电源

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