供应IRFI9630G分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 IRFI9630GPBF-ND

现有数量 767

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制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

IRFI9630GPBF

描述 MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 18 周

详细描述 通孔 P 沟道 200V 4.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 35W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 800 毫欧 @ 2.6A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片

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