供应SIR172DP-T1-GE3分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 SIR172DP-T1-GE3TR-ND

现有数量 0

检查提前期

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SIR172DP-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 46 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 30nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 997pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.9W（Ta），29.8W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.9 毫欧 @ 16.1A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

封装/外壳 PowerPAK® SO-8

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