供应RSS050P03TB分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 RSS050P03TBTR-ND

现有数量 0

制造商

Rohm Semiconductor

制造商零件编号

RSS050P03TB

描述 MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 42 毫欧 @ 5A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SOP

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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