RFP12N10L分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET

零件编号 RFP12N10L-ND
现有数量 32,495
可立即发货
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
RFP12N10L
描述 MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 6 周
详细描述通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB


类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 200 毫欧 @ 12A，5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

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系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

-

电压 - 电源

-

供应RFP12N10L分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

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