供应SI4431BDY-T1-GE3分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

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零件编号 SI4431BDY-T1-GE3-ND
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制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4431BDY-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 22 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO


类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 7.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)




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系列

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类别

集成电路(IC)

产品族

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电压 - 电源

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