SI4431BDY-T1-GE3分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET

零件编号 SI4431BDY-T1-GE3-ND
现有数量 0
检查提前期
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4431BDY-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 22 周
详细描述表面贴装 P 沟道 30V 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO

类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 20nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

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电压 - 电源

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供应SI4431BDY-T1-GE3分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

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