SI3447BDV-T1-E3 分立半导体产品晶体管

零件编号 SI3447BDV-T1-E3TR-ND
现有数量 0
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI3447BDV-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述表面贴装 P 沟道 12V 4.5A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP

类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态停產
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 6A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

-

电压 - 电源

-

供应SI3447BDV-T1-E3 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET

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