Winbond Electronics
制造商零件编号
W9425G6EH-5
描述 IC SDRAM 256MBIT 250MHZ 66TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 250MHz 55ns 66-TSOP II
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Winbond Electronics
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR
存储容量 256Mb （16M x 16）
时钟频率 250MHz
写周期时间 - 字，页 15ns
访问时间 55ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装 66-TSOP II
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就大核而言，频率从2.45GHz提升了14%到2.8GHz，同时A73（Kryo 280）到A75的理论提升是22~34%，两相叠加和高通调谐后，最后实现了25%~30%的性能增长。
小核上，A53到A55的跃进，虽然频率更保守了，但性能还是有了15%的增长。
GPU方面，从Adreno 540首次带入6xx，即630，相比上代产品来说性能提升了30%，能耗比提升30%。
