制造商
Texas Instruments
制造商零件编号
CSD17507Q5A
描述 MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Ta），65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10.8 毫欧 @ 11A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSON（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN
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