原装现货库存IRF530NPBF集成电路IC

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制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF530NPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 20 周
详细描述 通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 70W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 9A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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系列

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类别

集成电路ic

产品族

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电压-电源

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