制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF5803TRPBF
描述 MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 18 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 112 毫欧 @ 3.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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相比之下，三星在芯片设计行业和芯片代工市场有望持续成长，它在存储芯片市场的领先优势在未来数年不会动摇，因此Intel今年失去全球最大芯片企业的位置后很可能在未来数年都无法再夺回这一位置，而三星则日渐坐稳这一位置。
