制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FQD3P50TM
描述 MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 19 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 500V 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.9 欧姆 @ 1.05A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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