制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF3205PBF
描述 MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 20 周
详细描述 通孔 N 沟道 55V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 146nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3247pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 62A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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采用公版GPU带来的一个弱点是，ARM升级GPU核心速度很快，几乎每年升级一次，而且它作为授权商当然是向各个手机芯片企业公开的，今年它就推出了全新的G72核心，华为海思首发了这个GPU核心用于自己的麒麟970上，这显然不利于三星打造差异化竞争力。
