安富利到货通知IRF530NPBF集成电路IC

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF530NPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 20 周
详细描述通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 70W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 9A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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20核Mali G71，因此得以在GPU性能方面超越高通的骁龙835，不过这显然带来的一个问题是核心数量越多功耗就越高，对于手机来说过高的功耗是不可接受的，三星虽然让Exynos8895表现出了卓越的性能但是在控制功耗方面显然需要花费更多的精力。

系列

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类别

集成电路（IC）

产品族

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电压 - 电源

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