安富利到货通知IRF5803TRPBF集成电路IC

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF5803TRPBF
描述 MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 18 周
详细描述表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 112 毫欧 @ 3.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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系列

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类别

集成电路（IC）

产品族

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电压 - 电源

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