安富利到货通知IPA60R099C6XKSA1集成电路IC

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPA60R099C6XKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 24 周
详细描述通孔 N 沟道 600V 37.9A（Tc） 35W（Tc） PG-TO-220-FP
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 37.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.21mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 119nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 99 毫欧 @ 18.1A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
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2015年底，三星推出第一款集成基带的手机SOC--Exynos8890，采用了自主研发的高性能核心猫鼬搭配ARM的低功耗核心A53，这进一步拉近了它与高通的差距，不过这款芯片不支持CDMA也就是无法支持全网通。今年三星推出的高端芯片Exynos8895，据geekbench4、

系列

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类别

集成电路（IC）

产品族

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电压 - 电源

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