安富利到货通知IPA60R099C6XKSA1集成电路IC

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制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPA60R099C6XKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 24 周
详细描述 通孔 N 沟道 600V 37.9A(Tc) 35W(Tc) PG-TO-220-FP
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 37.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.21mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 119nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 35W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 99 毫欧 @ 18.1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
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2015年底,三星推出第一款集成基带的手机SOC--Exynos8890,采用了自主研发的高性能核心猫鼬搭配ARM的低功耗核心A53,这进一步拉近了它与高通的差距,不过这款芯片不支持CDMA也就是无法支持全网通。今年三星推出的高端芯片Exynos8895,据geekbench4、
系列

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类别

集成电路(IC)

产品族

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电压 - 电源

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