质优原装现货IRFS7530TRL7PP集成电路IC

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFS7530TRL7PP
描述 MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 22 周
详细描述表面贴装 N 沟道 60V 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®，StrongIRFET™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 354nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12960pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 100A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（7-Lead）
封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）
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015年三星发布的Exynos7420处理器与骁龙810一样采用四核A57+四核A53架构，不过由于采用了三星当时最先进的14nmFinFET工艺，功耗和性能表现优良，这款芯片成为

系列

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类别

集成电路（IC）

产品族

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电压 - 电源

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