质优原装现货JS28F256M29EWH集成电路IC

制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
JS28F256M29EWHA
描述 IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16）并联 110ns 56-TSOP（14x20
类别集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态停產
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 256Mb （32M x 8，16M x 16）
写周期时间 - 字，页 110ns
访问时间 110ns
存储器接口并联
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型表面贴装
封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装 56-TSOP（14x20）
基本零件编号 28F256M29EW
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据大摩预测，三星Line 11的30K DRAM产能将会转变成10K CMOS。Line 16的平面NAND转化为3D NAND，届时将会引起产能骤减。三星方面也表示，将会把60K到70K的产能转换为3D NAND。然后将剩下的平面NAND 产能转换为30K DRAM。

系列

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类别

集成电路（IC）

产品族

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电压 - 电源

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