MJD2955T4G分立半导体产品晶体管 - 双极 (BJT)

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制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
MJD2955T4G
类别分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 10A
电压 - 集射极击穿（最大值） 60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值） 50μA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 4A，4V
功率 - 最大值 1.75W
频率 - 跃迁 2MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
基本零件编号 MJD2955

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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

电压 - 电源

-

供应MJD2955T4G分立半导体产品 晶体管 - 双极 (BJT) - 单

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