供应LM258P线性放大器

地区:广东 深圳
认证:

安富利(深圳)商贸有限公司

VIP会员7年

全部产品 进入商铺
零件编号 497-7815-2-ND
现有数量 12,000 
可立即发货 
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
LM258PT
类别 集成电路(IC)
线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲器放大器
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
放大器类型 通用
电路数 2
输出类型 -
压摆率 0.6 V/μs
增益带宽积 1.1MHz
电流 - 输入偏置 20nA
电压 - 输入失调 1mV
电流 - 电源 700μA
电流 - 输出/通道 60mA
电压 - 电源,单/双(±) 3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V
工作温度 -40°C ~ 105°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装 8-TSSOP
基本零件编号 LM*58




安富利(深圳)商贸有限公司,全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势!所出的物料,绝对原装正品!放心购买!             
本公司为一般纳税人,可开17%增值税票!欢迎垂询!                  
  
Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
    三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体,做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
    Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示,该公司的技术蓝图显示,28奈米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展,首先是在2017年底进行嵌入式快闪记忆体(eFlash)的风险生产(risk production),嵌入式MRAM (eMRAM)的风险生产则安排在2018年底。
系列

-

类别

集成电路(IC)

产品族

线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲器放大器

电压 - 电源

-