供应AT24C64N 集成电路（IC） 存储器

再者，飞索也与尔必达(Elpida)合作NAND Flash产品，将以尔必达在日本广岛的12寸晶圆厂做为生产基地，初期从43纳米切入，未来再持续导入32纳米，双方也宣布采用飞索MirrorBit Charge-Trapping技术的4Gb容量SLC(Single-Level Cell)芯片正式问世，计划2010年第4季试产，在2011年第1季可步入量产。

整体而言，飞索在重整之后，不论是产品线或是生产制造策略上，都做了相当大的转变，2010年第2季也持续交出获利成绩单，加上开始在各个产品在线与大厂进行策略联盟，飞索积极寻求转型的过程和成果，市场相当关注。