检查提前期
制造商
IDT, Integrated Device Technology Inc
制造商零件编号
7008S20PF8
描述 IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 512Kb （64K x 8） 并联 20ns 100-TQFP（14x14）
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 最後搶購
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 双端口，异步
存储容量 512Kb （64K x 8）
写周期时间 - 字，页 20ns
访问时间 20ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 100-LQFP
供应商器件封装 100-TQFP（14x14）
基本零件编号 IDT7008
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根据国家科技部和《中国制造2025》对动力电池的发展展望，2020－2025年我国要实现单体能量密度300Wh／kg－400Wh／kg固态电池的研发生产工作。如今已经要进入2018年，加上2年左右的建设时间，国产固态电池的时代真的不再遥远了
