提供样品AT17LV010-10JI集成电路IC
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2019 年,中国三大存储阵营的技术开发成果将见真章,包括长江存储的下一代的 64 层 3D NAND 芯片、联电扶植的福建晋华集成的 2x 纳米技术,以及合肥睿力的 19 纳米 DRAM 技术。
这关键的 DRAM 和 3D NAND 技术研发成果,究竟会石破天惊打破国际大厂的垄断?抑或只是丑媳妇终究是要见公婆?这问题的答案,将决定未来十年中国存储产业的命运。
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集成电路(IC)
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