提供样品MT45W4MW16PCGA-70 IT集成电路IC

制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT45W4MW16PCGA-70 WT TR
描述 IC PSRAM 64MBIT 70NS 48VFBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 64Mb （4M x 16）并联 70ns 48-VFBGA（6x8）
类别集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态停產
存储器类型易失
存储器格式 PSRAM
技术 PSRAM（伪 SRAM）
存储容量 64Mb （4M x 16）
写周期时间 - 字，页 70ns
访问时间 70ns
存储器接口并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V
工作温度 -30°C ~ 85°C（TC）
安装类型表面贴装
封装/外壳 48-VFBGA
供应商器件封装 48-VFBGA（6x8）
基本零件编号 MT45W4MW16
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对于人类来说，将会有越来越多的闲暇时间，这个闲暇有两个原因：首先，长江存储研发的这颗 3D NAND 芯片是 32 层技术，对比三星电子、美光、东芝、SK 海力士主流的 64 层和 72 层技术，还有一段距离，而这些国际大厂在 2018 年即将大步跨入 96 层 3D NAND 技术，驱动芯片的密度提升、成本再下降。第一个原因是不得不闲暇

系列

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类别

集成电路（IC）

产品族

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电压 - 电源

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