提供样品MT45W4MW16BCGB-701 IT集成电路IC

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制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT45W4MW16BCGB-701 WT
描述 IC PSRAM 64MBIT 70NS 54VFBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
详细描述 PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 70ns 54-VFBGA(6x8)
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 PSRAM
技术 PSRAM(伪 SRAM)
存储容量 64Mb (4M x 16)
写周期时间 - 字,页 70ns
访问时间 70ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V
工作温度 -30°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 54-VFBGA
供应商器件封装 54-VFBGA(6x8)
基本零件编号 MT45W4MW16
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总结来看,未来的趋势有几个,首先人工智能将不可避免,芯片要进入量产阶段,良率要先达到一定的水准,否则是不符合生产成本效益的。而长江存储用来测试的这一颗 3D NAND 芯片,绝对是精挑万选出来的“精英部队”,然而不代表生产出来的每一颗芯片都可以通过测试,因此,必须要让良率够高,晶圆产出中的“精英部队”数量才会更多无处不在,就像今天的电力一样随时随地都可以触摸到,而且人工智能管理社会势在必行。另外,它会将人类包裹。其实我们现在已经是这样了,你说有百分之多少是人和人之间面对面的接触,大部分都是在手机上完成的,这种趋势将会越来越明显

系列

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类别

集成电路(IC)

产品族

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电压 - 电源

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