供应原装NTB45N06LT4G 晶体管

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Digi-Key 零件编号 NTB45N06LT4GOSTR-ND
  检查提前期
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NTB45N06LT4G
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 45A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V
Vgs(最大值) ±15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),125W(Tj)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 22.5A,5V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。


型号/规格

NTB45N06LT4G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

D2PAK

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

大功率

频率特性

中频

整流电流

45A

反向击穿电流

45A