原装SI5475DC-T1-E3 VISHAY分立半导体产品

Digi-Key 零件编号 SI5475DC-T1-E3-N
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI5475DC-T1-E3
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态停產
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 1mA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 31 毫欧 @ 5.5A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
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然而一利必有一弊，在大量的采购低价标准品，应付大出货量的同时，供应链猜测小米一来没有了更多的精力来为全面屏手机做系统适配与服务，二来红米系列手机一般都采用联发科的芯片，而联发科的芯片是什么时候才支持全面屏大家都知道。同时全面屏显示模组初期的成本上升，对于只有“性价比”的小米来说，如果强推全面屏手机也会让其采购策略与思维十分混乱，破坏其刚刚平息的供应链风波。

系列

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类别

集成电路ic

产品族

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电压-电源

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供应原装SI5475DC-T1-E3 VISHAY分立半导体产品