供应原装SI7686DP-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品

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   Digi-Key 零件编号 SI7686DP-T1-GE3TR-ND
现有数量 3,000 
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制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7686DP-T1-GE3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1220pF @ 15V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5W(Ta),37.9W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
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据供应链的消息称,这两个手机品牌今年都没有跟上全面屏这一波,很大程度上也是受限于供应链资源。如果说小米是受制于全面屏手机面板资源的话,那么魅族很可能是受限于CPU主控芯片资源。


小米今年一改在红米系列手机上引入乱七八糟的“低成本黑科技”风格,大量采购低价的标准品手机配件,力推低价机抢市场份额的意图十分明显,可以说在全球市场上都取得了极好的成效。

系列

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类别

集成电路ic

产品族

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电压-电源

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