晶体管 BSS138-7-F FET-MOSFET

BSS138-7-F介绍：

描述 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

制造商标准提前期 52 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装    带卷（TR）  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一

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