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IS43DR16640B-3DBI介绍:
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
制造商标准提前期 7 周
详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR2
存储容量 1Gb (64M x 16)
时钟频率 333MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 450ps
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 84-TFBGA
供应商器件封装 84-TWBGA(8x12.5)
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
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外存通常是磁性介质或光盘等,能长期保存信息。内存指主板上的存储部件,用来存放当前正在执行的数据和程序,但仅用于暂时存放程序和数据,关闭电源或断电,数据会丢失。
ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。
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集成电路(IC)
存储器
1.7 V ~ 1.9 V