晶体管 FQP33N10 半导体产品

FQP33N10介绍：

描述 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

制造商标准提前期 7 周

详细描述 通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装   管件  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 52 毫欧 @ 16.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 51nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 127W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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不同种类的晶体管可以在低于1伏到上千伏电压下工作，而电子管的第二电源（乙电）也要数伏，最高也就1000多伏，所以晶体管能被用在更广泛的电路中，使其他优势得以发挥。因为晶体管的低成本和后来的电子计算机，数字化信息的浪潮来到了。

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