晶体管 IRFL014TR 半导体产品

IRFL014TR介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

制造商标准提前期 18 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 200 毫欧 @ 1.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta），3.1W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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