晶体管 FDA59N25 MOSFET

地区:广东 深圳
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FDA59N25介绍:

描述 MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P

制造商标准提前期 16 周

详细描述 通孔 N 沟道 250V 59A(Tc) 392W(Tc) TO-3PN

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 UniFET™

包装   管件  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 250V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 49 毫欧 @ 29.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 82nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4020pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 392W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3PN

封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。在模拟电路中,晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路;在计算机电源中,主要用于开关电源。


安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。




型号/规格

FDA59N25

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

TO-3PN\t

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

大功率

频率特性

中频

极性

PNP型