晶体管 FDA59N25 MOSFET

FDA59N25介绍：

描述 MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P

制造商标准提前期 16 周

详细描述 通孔 N 沟道 250V 59A（Tc） 392W（Tc） TO-3PN

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 UniFET™

包装   管件  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 49 毫欧 @ 29.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 82nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4020pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 392W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3PN

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

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在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路；在计算机电源中，主要用于开关电源。

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