晶体管 PDTC114TM 双极 (BJT) - 单

PDTC114TM介绍：

描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

制造商标准提前期 8 周

详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 -

包装   带卷（TR） 

零件状态 在售

晶体管类型 NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 10 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 1mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值） 1μA

功率 - 最大值 250mW

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SC-101，SOT-883

供应商器件封装 DFN1006-3

基本零件编号 PDTC114

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。

恩智浦(NXP)自2006年9月1日起，成为全球半导体市场的独立领导厂商之一。名称中蕴含着 "新的体验"(Next Experience)的意义，禀承英文品牌的精神， 中文名称中的"浦"字，强调恩智浦累积过去在飞利浦53年以来的珍贵经验与丰富资源。