二极管 FEP6BT 分立半导体产品

FEP6BT介绍：

描述 DIODE ARRAY GP 100V 6A TO220AB

制造商标准提前期 53 周

详细描述 Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 6A Through Hole TO-220-3

类别 分立半导体产品

二极管 - 整流器 - 阵列

制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

二极管配置 1 对共阴极

二极管类型 标准

电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 100V

电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 6A

不同 If 时的电压 - 正向（Vf 975mV @ 3A

速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间（trr） 35ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 100V

工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3

供应商器件封装 TO-220AB

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。