MOSFET - 单 BSB044N08NN3 G 半导体产品

BSB044N08NN3 G介绍：

描述 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

制造商标准提前期 39 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 80V 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Ta），90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 97μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 73nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5700pF @ 40V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），78W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 30A，10V

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 MG-WDSON-2，CanPAK M™

封装/外壳 3-WDSON

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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功率MOSFET和前述的MOSFET元件在结构上就有著显著的差异。一般积体电路里的MOSFET都是平面式（planar）的结构，晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。