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产品属性
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制造商:IXYS
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Chassis Mount
封装 / 箱体:SOT-227-4
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-ChannelVds-
漏源极击穿电压:500 VId-
连续漏极电流:44 ARds On-
漏源导通电阻:120 mOhmsVgs - 栅极-
源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual SourcePd-
功率耗散:520 W
通道模式:Enhancement
商标名:HyperFET
封装:Tube
高度:9.6 mm
长度:38.23 mm
系列:IXFN44N50
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:25.42 mm
商标:IXYS 正向跨导 -
最小值:42 S
下降时间:30 ns
上升时间:60 ns
工厂包装数量:10
典型关闭延迟时间:100 ns
典型接通延迟时间:30 ns
单位重量:30 g
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