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深圳市深铭易购商务有限公司
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供应 K20A60U TOSHIBA TO-220 原装正品现货
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1470pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 整包
K20A60U
TOSHIBA
TO-220
直插式
LMV321IDBVR通用运算放大器TI
LM339DT通用比较器
TPS563201DDCR电源管理芯片
L78M05ABDT-TR稳压器
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