供应IRF9540NSTRLPBF 原装现货供应

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            一般信息

标准包装   800
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRF9540NSTRLPBF-ND 
IRF9540NSTRLPBFTR 
SP 

规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1450pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),110W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 117 毫欧 @ 14A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB


型号/规格

IRF9540NSTRLPBF

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装