供应 IRFZ24NPBF 原装现货热卖
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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深圳市福田区科铭达电子经营部
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
370pF @ 25V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
70 毫欧 @ 10A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
IRFZ24NPBF
INFINEON（英飞凌）
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
55V
17A（Tc）
10V
4V @ 250μA
