贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管

地区:广东 东莞
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贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管



20V场效应管 GM2020E的脚位图:



20V场效应管 GM2020E的极限值:


20V场效应管 GM2020E的电特性:

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位
漏极-源极击穿电压 BVDSS 20

V
栅极开启电压 VGS(th) 0.45
0.85
内附二极管正向压降 VSD

1.1
零栅压漏极电流 IDSS

100 nA
栅极漏电流 IGSS

±5 uA

静态漏源导通电阻

ID=0.55A,VGS=4.5V

RDS(ON)

220 310

静态漏源导通电阻

ID=0.45A,VGS=2.5V


260 360

静态漏源导通电阻

ID=0.35A,VGS=1.8V


320 460
输入电容 CISS
50
pF
输出电容 COSS
13
开启时间 t(on)
22
ns
关断时间 t(off)
700

20V场效应管 GM2020E的封装外形尺寸:


型号/规格

GM2020E

品牌/商标

宇芯微

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装