P沟道增强型MOS 场效应管 GMDN360P SOT-23 中低压MOSFET
地区：广东 东莞
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P沟道增强型MOS场效应管 GMDN360P SOT-23 中低压MOSFET
P沟道增强型MOS GMDN360P的极限值：
P沟道增强型MOS GMDN360P的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -30 |
|
|
V |
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -1 |
|
-3 | |
|
静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-10V |
RDS(ON) |
|
60 | 80 |
mΩ |
|
静态漏源导通电阻 ID=-1.5A,VGS=-4.5V |
|
95 | 125 | ||
| 输入电容 | CISS |
|
420 |
|
pF |
| 输出电容 | COSS |
|
140 |
|
GMDN360P
宇芯微
SOT-23
无铅环保型
贴片式
单件包装
