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15VP沟道场效应管 GM2327S SOT-23 增强型MOS 贴片MOSFET

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市宇芯电子有限公司

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15VP沟道场效应管 GM2327S SOT-23 增强型MOS 贴片MOSFET



15VP沟道场效应管GM2327S的极限值：

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压 BVDSS -15 V
栅极-源极电压 VGS ±8
漏极电流-连续 ID -2.6 A
漏极电流-脉冲 IDM -8

总耗散功率

(TA=25℃)

PD 900 mW
结温 TJ 150 ℃
存储温度 TSTG -55~+150


15VP沟道场效应管GM2327S的电特性：

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位
漏极-源极击穿电压 BVDSS -15

V
栅极开启电压 VGS(th) -0.4
-1.2
内附二极管正向压降 VSD

-1.2
零栅压漏极电流 IDSS

-1 uA
栅极漏电流 IGSS

±100 nA

静态漏源导通电阻

ID=-3A,VGS=-4.5V

RDS(ON)
65 80 mΩ

静态漏源导通电阻

ID=-2.4A,VGS=-2.5V


90 120
输入电容 CISS
400
pF
输出电容 COSS
80
开启时间 t(on)
8
ns
关断时间 t(off)
60

15VP沟道场效应管GM2327S的脚位图：



型号/规格

GM2327S

品牌/商标

宇芯微

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装