EMB02N03HS EDFN 5*6 N沟道MOS管 30V小封装MOSFET

地区:广东 东莞
认证:

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EMB02N03HS EDFN 5*6 N沟道MOS管 30V小封装MOSFET



N沟道MOS管EMB02N03HS的脚位图




N沟道MOS管EMB02N03HS的极限值:

参数/测试条件
符号 数值 单位
栅极-源极电压
VGS ±20 V
漏极-源极电压
BVDSS 30
漏极电流-连续
TC=25℃ ID
100 A
TC=100℃
67
漏源电流-脉冲
IDM 400
雪崩电流
IAS 64
雪崩能量
EAS 204 mJ
重复雪崩能量
EAR 102
功耗
TC=25℃
PD
50 W
TC=100℃
20
工作结温和存储温度范围
Tj,Tstg -55~150


N沟道MOS管EMB02N03HS的电特性:

型号/规格

EMB02N03HS

品牌/商标

N沟道MOSFET

封装形式

EDFN 5*6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装