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FIR150N03PG TO-220 功率MOS管 N沟道场效应管

地区：广东 东莞
认证： 无

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FIR150N03PG TO-220 功率MOS管 N沟道场效应管



N沟道场效应管 FIR150N03PG的脚位图：



N沟道场效应管 FIR150N03PG的极限值：



N沟道场效应管 FIR150N03PG的电特性：

参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
漏极-源极击穿电压
 BVDSS VGS=0V ID=250μA 30 35
V
零栅压漏极电流
 IDSS VDS=30V,VGS=0V

1 μA
栅极漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V

±100 nA
栅极开启电压
 VGS(TH)
 VDS=VGS,ID=250μA 1.2 1.7 2.5 V
静态漏源导通电阻
 RDS(ON) VGS=10V,ID=20A
2.5 4 mΩ
正向跨导 gfs VDS=10V,ID=20A 32

S
输入电容 Ciss

VDS=15V,VGS=0V,

F=1MHz


5000
pF
输出电容 Coss
1135
反向传输电容 Crss
563
开启延迟时间
 td(on)

VDD=15V,ID=2A,RL=15Ω

VGS=10V,RG=2.5Ω


26
nS
开启上升时间
 tr
24
关断延迟时间
 td(off)
91
关断下降时间
 tf
39
栅源电荷密度 Qgs VDS=15V,ID=30A,VGS=10V
9
nC
栅漏电荷密度 Qgd
13



N沟道场效应管 FIR150N03PG的封装外形尺寸：

型号/规格

FIR150N03PG

品牌/商标

美国福斯特

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

VDSS

30V

ID

150A

RDS(ON)

4mΩ(Max)