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福斯特场效应管 FIR5N60BPG-T TO-251 高压插件MOSFET

地区：广东 东莞
认证： 无

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福斯特场效应管 FIR5N60BPG-T TO-251 高压插件MOSFET



福斯特场效应管 FIR5N60BPG-T的极限值：

符号 参数 数值 单位
VDSS 漏极-源极电压
 600 V
ID
 漏极电流-连续 Tj=25℃
 4.5 A
漏极电流-连续 Tj=100℃
 2.5
VGS(TH) 栅极-源极电压
 ±30 V
EAS 单脉冲雪崩能量
 212 mJ
IAR 雪崩电流 4 A
PD 功耗 50 W
Tj 最大工作结温 150 ℃
Tstg 存储温度 -55~+150
TL 最大焊接温度 300


福斯特场效应管 FIR5N60BPG-T的热阻：

符号 参数 数值 单位
RθJC 结到管壳的热阻 2.5 ℃/W
RθJA 结到环境的热阻 110

福斯特场效应管 FIR5N60BPG-T的电特性：


型号/规格

FIR5N60BPG-T

品牌/商标

美国福斯特

封装形式

TO-251

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

VDSS

600V

ID

4.5A

RDS(ON)

2.5Ω

PD

50W