FIR4N80BPG-Y TO-251 N沟道功率MOSFET 高压MOS

FIR4N80BPG-Y TO-251 N沟道功率MOSFET 高压MOS

高压MOS FIR4N80BPG-Y的极限值：

高压MOS FIR4N80BPG-Y的热阻：

• 结到管壳的热阻：2℃/W
• 结到环境的热阻：110℃/W

高压MOS FIR4N80BPG-Y的电特性：

• 漏极-源极击穿电压：800V
• 最大栅极开启电压：5V
• 最大静态漏源导通电阻：4.8Ω
• 输入电容：290pF
• 输出电容：30pF
• 反向传输电容：3.5pF
• 最大开启延迟时间：35ns
• 最大开启上升时间：70ns
• 最大关断延迟时间：60ns
• 最大关断下降时间：65ns
• 栅源电荷密度：2.6nC
• 栅漏电荷密度：6nC