M版N沟道场效应管 FIR4N70FG-M TO-220F塑封高压MOS管

地区:广东 东莞
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M版N沟道场效应管 FIR4N70FG-M TO-220F塑封高压MOS管



M版N沟道场效应管 FIR4N70FG-M的极限值:

符号 参数 数值 单位
VDSS 漏极-源极电压
700 V
ID
漏极电流-连续
4 A
漏极电流-连续 TC=100℃
2.5
IDMa1 漏极电流-脉冲
28 A
VGS 栅极-源极电压
±30 V
EASa2 单脉冲雪崩能量
196 mJ
PD 功耗 30 W
TJ,Tstg 工作结温和存储温度范围 150,-55~+150
TL 最大焊接温度 300


M版N沟道场效应管 FIR4N70FG-M的热阻:

符号 参数 数值 单位
RθJC 结到管壳的热阻 4.16 ℃/W
RθJA 结到环境的热阻 120


M版N沟道场效应管 FIR4N70FG-M的电特性:


型号/规格

FIR4N70FG-M

品牌/商标

美国福斯特

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

VDSS

700V

ID

4A

PD

30W

RDS(ON)