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FIR4N60ABPG-T N沟道场效应管 高压MOSFET

地区：广东 东莞
认证： 无

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FIR4N60ABPG-T N沟道场效应管 高压MOSFET



N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的极限值：

符号 参数 数值 单位
VDSS 漏极-源极电压
 600 V
ID
 漏极电流-连续 Tj=25℃
 4 A
漏极电流-连续 Tj=100℃
 2.5
VGS 栅极-源极电压
 ±30 V
EAS 单脉冲雪崩能量
 212 mJ
IAR 雪崩电流
 4 A
PD 功耗(Tj=25℃) 50 W
Tj 最大工作结温 150 ℃
Tstg 存储温度 -55~+150
TL 最大焊接温度 300


N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的电特性：

符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
BVDSS 漏极-源极击穿电压
 ID=250μA 600

V
IDSS 零栅压漏极电流
 VDS=600V,VGS=0V

10 μA
VDS=480V,Tj=125≥

100
VGS(TH) 栅极开启电压
 ID=250μA,VDS=VGS 2
4 V
RDS(ON) 静态漏源导通电阻
 ID=2A,VGS=10V

2.5 Ω
Ciss 输入电容 VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz
615
pF
Coss 输出电容
58.8
Crss 反向传输电容
6.18
td(on) 开启延迟时间
 VDD=300V,ID=4A RG=25Ω
13 35 ns
tr 开启上升时间
45 100
td(off) 关断延迟时间
20 60
tf 开启下降时间
35 80
Qgs 栅源电荷密度
 VDS=480V,VGS=10V,ID=4A
3.4
nC
Qgd 栅漏电和密度
7.1


N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的封装外形尺寸：


型号/规格

FIR4N60ABPG-T

品牌/商标

美国福斯特

封装形式

TO-251

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

VDSS

600V

ID

4A

RDS(ON)

2.5Ω

PD

50W