EMD07N50A N-MOS 增强型 高压场效应管

EMD07N50A N-MOS 增强型 高压场效应管

高压场效应管 EMD07N50A的电气特性：

• 漏极-源极击穿电压：500V
• 栅极开启电压：3V（典型值）
• 栅极漏电流：±100nA
• 输入电容：675pF
• 输出电容：71pF
• 反向传输电容：3.7pF
• 栅源电荷密度：2.5nC
• 栅漏电荷密度：3.3nC
• 开启延迟时间：12nS
• 上升时间：15nS
• 关断延迟时间：25nS
• 下降时间：15nS

高压场效应管 EMD07N50A的极限参数：

• 漏极-源极电压：500V
  
• 栅极-源极电压：±30V
• 漏极电流-脉冲：28A
• 漏极电流-连续：7A
  
• 雪崩电流：7A
• 雪崩能量：73mJ
• 重复雪崩能量：12mJ
• 功耗：48W
• 温度范围：-55~150℃

高压场效应管 EMD07N50A的封装外形尺寸：